闪迪披露3D堆叠专利揭示闪存算力一体化趋势；科创半导体ETF华夏（588170）下跌0.22%，半导体设备ETF华夏（562590）下跌0.45%

截至2026年6月23日11:22，科创半导体ETF华夏(588170)下跌0.22%，半导体设备ETF华夏(562590)下跌0.45%。热门个股方面涨跌互现，华兴源创领涨4.31%，欧莱新材上涨3.91%，中科飞测上涨2.62%；中巨芯领跌9.22%，华海诚科下跌7.63%，兴福电子下跌7.56%。

消息面上，闪迪披露的一项专利显示，其正探索一个新的3D堆叠方案，将NAND闪存集成到芯片内部，以缓解当前HBM供应紧张、容量受限及延迟等问题。其核心思路是，基于CBA技术，直接在主计算芯片下方集成NAND存储单元，该计算芯片可以是GPU或AI处理器，同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈，让HBM与NAND二者分工协作——HBM负责需要即时响应的数据处理，NAND则承担读写操作，以及大模型、海量数据集存储任务。该方案目前仅停留在专利阶段。

相关ETF：科创半导体ETF华夏(588170)及其联接基金(A类：024417；C类：024418)：跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数，其中存储芯片含量超70%，先进封装含量在全市场中最高(约60%)，聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏(562590)及其联接基金(A类：020356；C类：020357)：跟踪中证半导体材料设备主题指数，其中半导体设备的含量在全市场指数中最高(约66%)，直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”(设备商)的确定性需求。